目前LED芯片主要采用的襯底材料是(shì)藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和抛光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨後，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP抛光液是(shì)利用"軟磨硬"的原理很好的實現(xiàn)了藍寶石表面的精密抛光。随着LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化矽溶膠抛光液的需求也與日俱增。

CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料矽晶片的抛光。随着半導體工業的急速發展，也對抛光液技術提出了新的要求，傳統的抛光技術(如:基于澱積技術的選擇澱積、濺射等)雖然也可以提供"光滑"的表面，但(dàn)卻都是(shì)局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械抛光技術解決了這個問題，它是(shì)目前唯一的可以在整個矽圓晶片上全面平坦化的工藝技術。